FDS8876-F40-HXY_SOP-8_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOP-8 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤(pán) 參數(shù)1：ID:18A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:5mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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產(chǎn)品介紹

該N溝道MOSFET具有30V的漏源擊穿電壓（VDSS），在柵源電壓（VGS）為20V時(shí)，導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）低至5毫歐，可支持連續(xù)漏極電流（ID）達(dá)18A。其低導(dǎo)通電阻有助于減少導(dǎo)通損耗，提升整體效率，適用于對(duì)功率密度和熱性能有較高要求的電源管理、開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換及負(fù)載控制等場(chǎng)景。器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化了開(kāi)關(guān)特性，在高頻操作下仍能保持穩(wěn)定性能，適合緊湊型電子系統(tǒng)中的高效功率切換應(yīng)用。

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深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

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