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              RQ3E120GNTB-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
              
                       
                        
              
                            品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子)
                                                        封裝：DFN3X3-8L
                                                        類別：場效應管(MOSFET)
                                                        最小包裝：5000/圓盤
                                                        參數1：ID:45A
                                                        參數2：VDSS:30V
                                                        參數3：RDON:6mR
                                                        參數4：VGS:20V
                                                        標價：歡迎咨詢
                        
              
                        
              
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              產品介紹
              
                
              
                    
              -------<點擊了解更多 + 購買>-------
              該N溝道場效應管（MOSFET）具備45A的連續漏極電流，最大漏源電壓為30V，導通電阻為6毫歐，柵源驅動電壓最高可達20V。低導通電阻有助于降低導通狀態下的功率損耗，提升系統能效。器件適用于高效率電源轉換、電機控制以及各類需要頻繁開關操作的電子設備中，能夠有效支持緊湊型設計和熱管理優化。
                              
              
            
              
            
              
                
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