NVMFS5C670NLWFT1G_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤參數1：ID:80A 參數2：VDSS:60V 參數3：RDON:5.3mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道場效應管（MOSFET）具有80A的連續漏極電流（ID）、60V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至5.3mΩ，最大柵源電壓（VGS）為20V。其極低的導通電阻有助于顯著減少導通損耗，在高電流工作條件下仍能維持良好的熱性能。適用于高效率開關電源、大功率負載控制、電機驅動及各類需要快速開關響應和低功耗表現的電子系統中。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
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NVMFS5C670NLWFT1G_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:60V 參數3：RDON:5.3mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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