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              DMTH3004LFG-7-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

              品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN3X3-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數1:ID:60A 參數2:VDSS:30V 參數3:RDON:4mR 參數4:TYPE:N-ch 標價:歡迎咨詢

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              該N溝道場效應管(MOSFET)具有60A的連續漏極電流(ID)和30V的漏源擊穿電壓(VDSS),導通電阻(RDS(ON))低至4毫歐。器件適用于對效率和熱性能要求較高的電源管理場景,其低導通電阻有助于減少導通損耗,提升系統整體能效。在高頻率開關操作中,該MOSFET可維持較低的溫升,適合用于緊湊型電源模塊、便攜式設備供電系統以及各類需要高效能量轉換的電子裝置中。

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