IPD040N03LGATMA1-HXY_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤參數(shù)1：ID:120A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:3mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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該N溝道MOSFET具有120A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導(dǎo)通電阻低至3毫歐。器件適用于對效率和熱性能要求較高的電源管理場景，其低導(dǎo)通電阻有助于減少功率損耗，提升系統(tǒng)整體能效。由于具備高電流承載能力和較低的導(dǎo)通壓降，可廣泛用于各類直流開關(guān)電路、電池管理系統(tǒng)及高效同步整流拓?fù)渲?，滿足緊湊型設(shè)計對空間與散熱的嚴(yán)苛需求。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

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IPD040N03LGATMA1-HXY_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:120A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:3mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價：歡迎咨詢

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