MBR10200CTF-G1-HXY_TO-220F_肖特基二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：肖特基二極管最小包裝：50/管裝參數(shù)1：IF:10A 參數(shù)2：VR:200V 參數(shù)3：VF:1.2V 參數(shù)4：IR:100uA 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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該肖特基二極管采用1對(duì)共陰極配置，額定正向電流（IF）為10A，最大反向電壓（VR）達(dá)200V。其正向壓降（VF）典型值為1.2V，在25℃環(huán)境下的反向漏電流（IR）不超過100μA。器件具備優(yōu)異的浪涌承受能力，最大正向浪涌電流（IFSM）可達(dá)120A。此類結(jié)構(gòu)適用于需要雙路整流或鉗位功能的電源轉(zhuǎn)換與高頻開關(guān)電路中，兼顧效率與可靠性。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014

MBR10200CTF-G1-HXY_TO-220F_肖特基二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：肖特基二極管 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：IF:10A 參數(shù)2：VR:200V 參數(shù)3：VF:1.2V 參數(shù)4：IR:100uA 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：肖特基二極管最小包裝：50/管裝參數(shù)1：IF:10A 參數(shù)2：VR:200V 參數(shù)3：VF:1.2V 參數(shù)4：IR:100uA 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢