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              DMN3009LFV-13-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

              品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN3X3-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數1:ID:70A 參數2:VDSS:30V 參數3:RDON:3.5mR 參數4:TYPE:N-ch 標價:歡迎咨詢

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              該N溝道場效應管(MOSFET)具有70A的連續漏極電流(ID)和30V的漏源擊穿電壓(VDSS),導通電阻(RDS(ON))低至3.5毫歐。其極低的導通電阻有效減少了功率損耗與發熱,適用于高效率、大電流的電源開關場合。在頻繁開關或持續高負載運行條件下,該器件能維持良好的熱穩定性和電氣性能,適合用于電池供電系統、電源模塊及各類中低壓功率控制應用。

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