STS14N3LLH5-HXY_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤參數1：ID:18A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道MOSFET具有18A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS）、5mΩ的導通電阻（RDS(ON)）以及20V的最大柵源電壓（VGS）。低導通電阻有助于在高電流條件下減少功率損耗，提升系統效率。適用于電源管理模塊、便攜式設備供電系統、電機驅動電路及高頻開關應用等場景，能夠在緊湊布局中實現良好的熱性能與電氣穩定性。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

STS14N3LLH5-HXY_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：ID:18A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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