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              SIRA18DP-T1-GE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
              
                       
                        
              
                            品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子)
                                                        封裝：DFN5X6-8L
                                                        類別：場效應管(MOSFET)
                                                        最小包裝：5000/圓盤
                                                        參數1：ID:80A
                                                        參數2：VDSS:30V
                                                        參數3：RDON:4.7mR
                                                        參數4：VGS:20V
                                                        標價：歡迎咨詢
                        
              
                        
              
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              產品介紹
              
                
              
                    
              -------<點擊了解更多 + 購買>-------
              該N溝道MOSFET具有80A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至4.7mΩ，在柵源電壓（VGS）為20V時可實現高效導通。器件結構優化了開關性能與導通損耗，適用于對功率密度和效率有較高要求的電源轉換、電機驅動及高頻開關電路等場景，能夠有效支持大電流負載下的穩定運行。
                              
              
            
              
            
              
                
              企業聯系方式