X0202NN5BA4-HXY_SOT-223_晶閘管(可控硅)/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-223 類別：晶閘管(可控硅)/模塊最小包裝：1000/卷盤參數(shù)1：IT:2A 參數(shù)2：VDRM:800V 參數(shù)3：IGT:90uA 參數(shù)4：單向可控硅標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該單向晶閘管模塊具有2A的通態(tài)平均電流和800V的重復峰值電壓，觸發(fā)電流低至90μA，具備較高的電壓阻斷能力和較低的驅(qū)動需求。其單向?qū)ㄌ匦赃m用于直流或半波交流控制電路，可在高電壓環(huán)境下穩(wěn)定工作。典型應用包括電源開關、過壓保護、照明控制及小型電器中的功率調(diào)節(jié)。器件通過柵極信號實現(xiàn)對主電流通斷的精確控制，適合需要高效、可靠通斷功能的電子設備，滿足對能效和電路穩(wěn)定性有要求的設計方案。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

X0202NN5BA4-HXY_SOT-223_晶閘管(可控硅)/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-223 類別：晶閘管(可控硅)/模塊 最小包裝：1000/卷盤 參數(shù)1：IT:2A 參數(shù)2：VDRM:800V 參數(shù)3：IGT:90uA 參數(shù)4：單向可控硅 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-223 類別：晶閘管(可控硅)/模塊最小包裝：1000/卷盤參數(shù)1：IT:2A 參數(shù)2：VDRM:800V 參數(shù)3：IGT:90uA 參數(shù)4：單向可控硅標價：歡迎咨詢