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              AON7522E_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
              
                       
                        
              
                            品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子)
                                                        封裝：DFN3X3-8L
                                                        類別：場效應管(MOSFET)
                                                        最小包裝：5000/圓盤
                                                        參數1：ID:120A
                                                        參數2：VDSS:30V
                                                        參數3：RDON:2.9mR
                                                        參數4：TYPE:N-ch
                                                        標價：歡迎咨詢
                        
              
                        
              
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              產品介紹
              
                
              
                    
              -------<點擊了解更多 + 購買>-------
              該N溝道MOSFET具備30V的漏源擊穿電壓（VDSS），連續漏極電流（ID）高達120A，導通電阻（RDS(ON)）僅為2.9毫歐。其極低的導通電阻有效降低了導通狀態下的功率損耗，適用于大電流、高效率要求的電源管理場合。典型應用包括高性能計算設備的供電模塊、服務器電源、電動工具驅動電路以及高密度DC-DC轉換系統，能夠在緊湊空間內實現優異的熱性能與電氣穩定性。
                              
              
            
              
            
              
                
              企業聯系方式