CDBV6-54SD-G_SOT-363_肖特基二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-363 類別：肖特基二極管最小包裝：3000/圓盤參數1：IF:0.2A 參數2：VR:30V 參數3：VF:1V 參數4：IR:2uA 標價：歡迎咨詢

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該肖特基二極管采用2對串聯式結構，額定正向電流（IF）為0.2A，最大反向電壓（VR）達30V，正向壓降（VF）典型值為1V，反向漏電流（IR）低至2μA，最大正向浪涌電流（IFSM）為0.2A。其串聯配置適用于需要較高反向耐壓的低壓整流或信號檢波場合，低VF有助于提升能效，而微小的IR則保障了良好的關斷特性，適合對功耗和空間有嚴格限制的便攜式電子設備或精密電路中使用。

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深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
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CDBV6-54SD-G_SOT-363_肖特基二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-363 類別：肖特基二極管 最小包裝：3000/圓盤 參數1：IF:0.2A 參數2：VR:30V 參數3：VF:1V 參數4：IR:2uA 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-363 類別：肖特基二極管最小包裝：3000/圓盤參數1：IF:0.2A 參數2：VR:30V 參數3：VF:1V 參數4：IR:2uA 標價：歡迎咨詢