AO4498L_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤參數(shù)1：ID:18A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:5mR 參數(shù)4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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該N溝道MOSFET的漏源擊穿電壓（VDSS）為30V，連續(xù)漏極電流（ID）達18A，導通電阻（RDS(ON)）低至5毫歐，柵源電壓（VGS）最大額定值為20V。憑借其低導通電阻和較高的電流承載能力，適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、便攜式設備供電系統(tǒng)以及需要頻繁開關(guān)操作的電子電路中。器件在導通與關(guān)斷狀態(tài)間的快速切換特性，有助于降低開關(guān)損耗，提升整體電路性能。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：ID:18A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:5mR 參數(shù)4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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