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              AONR36366_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
              
                       
                        
              
                            品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子)
                                                        封裝：DFN3X3-8L
                                                        類別：場效應管(MOSFET)
                                                        最小包裝：5000/圓盤
                                                        參數1：ID:120A
                                                        參數2：VDSS:30V
                                                        參數3：RDON:2.9mR
                                                        參數4：TYPE:N-ch
                                                        標價：歡迎咨詢
                        
              
                        
              
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              產品介紹
              
                
              
                    
              -------<點擊了解更多 + 購買>-------
              該N溝道MOSFET支持120A的連續漏極電流，漏源電壓額定值為30V，導通電阻低至2.9毫歐。其極低的導通電阻顯著減少導通狀態下的功率損耗，有助于提升系統整體效率并降低溫升。適用于高電流密度的電源轉換、服務器供電模塊、電動工具驅動以及需要高效熱管理的電子設備。器件結構適合高頻開關操作，可在緊湊型設計中提供穩定可靠的性能表現。
                              
              
            
              
            
              
                
              企業聯系方式