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              PJQ4402P_R2_00001_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

              品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN3X3-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數1:ID:120A 參數2:VDSS:30V 參數3:RDON:2.9mR 參數4:TYPE:N-ch 標價:歡迎咨詢

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              該N溝道場效應管(MOSFET)具有120A的連續漏極電流(ID)和30V的漏源擊穿電壓(VDSS),導通電阻(RDS(ON))低至2.9mΩ。其極低的導通電阻顯著減少導通損耗,有利于提升系統整體效率并降低溫升。適用于高電流密度的電源管理應用,如大功率開關電源、高效同步整流電路以及需要頻繁開關操作的負載控制場景,在高頻工作條件下仍能維持穩定的電氣特性。

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