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              RJK0353DPA-WS#J0B_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
              
                       
                        
              
                            品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子)
                                                        封裝：DFN5X6-8L
                                                        類別：場效應管(MOSFET)
                                                        最小包裝：5000/圓盤
                                                        參數1：ID:60A
                                                        參數2：VDSS:30V
                                                        參數3：RDON:4.3mR
                                                        參數4：VGS:20V
                                                        標價：歡迎咨詢
                        
              
                        
              
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              產品介紹
              
                
              
                    
              -------<點擊了解更多 + 購買>-------
              該N溝道場效應管（MOSFET）具有60A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS）、4.3毫歐的導通電阻（RDS(ON)）以及20V的最大柵源電壓（VGS）。低導通電阻有助于降低導通損耗，提升整體能效，同時支持高電流密度工作。適用于對功率效率和熱性能要求較高的開關電源、電池供電系統及各類高效電子設備中的功率開關應用，能夠實現穩定可靠的運行表現。
                              
              
            
              
            
              
                
              企業聯系方式