BT168GW-HXY_SOT-223_晶閘管(可控硅)/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-223 類別：晶閘管(可控硅)/模塊最小包裝：1000/卷盤參數1：IT:0.8A 參數2：VDRM:600V 參數3：IGT:90uA 參數4：單向可控硅標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該單向晶閘管模塊額定通態電流IT為0.8A，重復峰值電壓VDRM達600V，觸發電流IGT低至90μA，具有較高的電壓耐受能力與靈敏的觸發特性。器件采用單向導通結構，適用于直流或脈沖控制電路中的功率開關應用。典型場景包括電源管理模塊、小型電機驅動、照明調光電路及交流整流后的控制回路。其低觸發電流設計有助于簡化驅動電路，提升系統響應速度，適合集成于對能效和空間布局有要求的電子裝置中，實現精確的相位控制與負載通斷管理。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

BT168GW-HXY_SOT-223_晶閘管(可控硅)/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-223 類別：晶閘管(可控硅)/模塊 最小包裝：1000/卷盤 參數1：IT:0.8A 參數2：VDRM:600V 參數3：IGT:90uA 參數4：單向可控硅 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-223 類別：晶閘管(可控硅)/模塊最小包裝：1000/卷盤參數1：IT:0.8A 參數2：VDRM:600V 參數3：IGT:90uA 參數4：單向可控硅標價：歡迎咨詢