Z0109NN6AA4-HXY_SOT-223_晶閘管(可控硅)/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-223 類別：晶閘管(可控硅)/模塊最小包裝：1000/卷盤參數(shù)1：IT:1A 參數(shù)2：VDRM:800V 參數(shù)3：IGT:10mA 參數(shù)4：雙向可控硅標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該雙向晶閘管模塊額定通態(tài)電流為1A，重復(fù)峰值電壓達(dá)800V，觸發(fā)電流最大為10mA，適用于交流電源控制場合。其雙向?qū)ㄌ匦钥蓪?shí)現(xiàn)對交流信號(hào)的全周期調(diào)控，結(jié)合較高的電壓耐受能力，常用于家電中的調(diào)光、調(diào)速及加熱回路。器件通過柵極施加適當(dāng)電流即可控制主電流通斷，具有響應(yīng)穩(wěn)定、耐壓高、通態(tài)損耗低等特點(diǎn)，適合構(gòu)建緊湊型功率控制單元，滿足多種負(fù)載的可靠開關(guān)需求。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014

Z0109NN6AA4-HXY_SOT-223_晶閘管(可控硅)/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-223 類別：晶閘管(可控硅)/模塊 最小包裝：1000/卷盤 參數(shù)1：IT:1A 參數(shù)2：VDRM:800V 參數(shù)3：IGT:10mA 參數(shù)4：雙向可控硅 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-223 類別：晶閘管(可控硅)/模塊最小包裝：1000/卷盤參數(shù)1：IT:1A 參數(shù)2：VDRM:800V 參數(shù)3：IGT:10mA 參數(shù)4：雙向可控硅標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢