Z0107NN5AA4-HXY_SOT-223_晶閘管(可控硅)/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-223 類別：晶閘管(可控硅)/模塊最小包裝：1000/卷盤參數1：IT:1A 參數2：VDRM:800V 參數3：IGT:7mA 參數4：雙向可控硅標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該雙向晶閘管模塊具有1A的額定通態電流（IT）和800V的重復峰值電壓（VDRM），可在較高電壓環境下穩定工作，觸發電流（IGT）為7mA，具備適中的靈敏度。器件支持雙向導通，適用于交流電路中的功率控制應用。典型使用場景包括交流調壓裝置、照明調光系統、電熱類設備的功率調節以及小型交流負載的開關控制。其雙向特性使其能有效響應正負半周信號，適合用于對波形對稱性有要求的控制電路中，實現精確的相位觸發與負載管理。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

Z0107NN5AA4-HXY_SOT-223_晶閘管(可控硅)/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-223 類別：晶閘管(可控硅)/模塊 最小包裝：1000/卷盤 參數1：IT:1A 參數2：VDRM:800V 參數3：IGT:7mA 參數4：雙向可控硅 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-223 類別：晶閘管(可控硅)/模塊最小包裝：1000/卷盤參數1：IT:1A 參數2：VDRM:800V 參數3：IGT:7mA 參數4：雙向可控硅標價：歡迎咨詢