DMN3023L-13-HXY_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤參數(shù)1：ID:5.8A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:22mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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該N溝道MOSFET具有30V的漏源擊穿電壓（VDSS）和5.8A的連續(xù)漏極電流（ID），在導(dǎo)通狀態(tài)下呈現(xiàn)低至22毫歐的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）。其低導(dǎo)通電阻有助于減少功率損耗，提升整體能效。器件適用于對效率和熱性能有較高要求的電源管理、負(fù)載開關(guān)及同步整流等電路拓?fù)渲校軌蛟诰o湊空間內(nèi)實現(xiàn)穩(wěn)定可靠的開關(guān)操作。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

DMN3023L-13-HXY_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：ID:5.8A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:22mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價：歡迎咨詢

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