BAS70DW-04Q-7-F-HXY_SOT-363_肖特基二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-363 類別：肖特基二極管最小包裝：3000/圓盤參數1：IF:0.15A 參數2：VR:75V 參數3：VF:1.25V 參數4：IR:1uA 標價：歡迎咨詢

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該肖特基二極管采用2對串聯式結構，額定正向電流為0.15A，最大反向電壓為75V。在導通狀態下，其正向壓降為1.25V；在反向截止時，漏電流僅為1μA，表現出優異的阻斷性能。器件可承受高達2.5A的非重復峰值正向浪涌電流（IFSM），適用于需要多級串聯配置的整流、信號箝位及電源保護等電路場合，兼顧緊湊布局與電氣可靠性。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

BAS70DW-04Q-7-F-HXY_SOT-363_肖特基二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-363 類別：肖特基二極管 最小包裝：3000/圓盤 參數1：IF:0.15A 參數2：VR:75V 參數3：VF:1.25V 參數4：IR:1uA 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-363 類別：肖特基二極管最小包裝：3000/圓盤參數1：IF:0.15A 參數2：VR:75V 參數3：VF:1.25V 參數4：IR:1uA 標價：歡迎咨詢