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              NTMFS4841NT3G_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
              
                       
                        
              
                            品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子)
                                                        封裝：DFN5X6-8L
                                                        類別：場效應管(MOSFET)
                                                        最小包裝：5000/圓盤
                                                        參數1：ID:80A
                                                        參數2：VDSS:30V
                                                        參數3：RDON:4.7mR
                                                        參數4：VGS:20V
                                                        標價：歡迎咨詢
                        
              
                        
              
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              產品介紹
              
                
              
                    
              -------<點擊了解更多 + 購買>-------
              該N溝道MOSFET具有80A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，在柵源電壓為20V時導通電阻低至4.7毫歐。器件采用標準增強型結構，適用于對導通損耗和效率要求較高的電源管理場景。其低RDS(ON)特性有助于減少發熱，提升系統整體能效，適合用于高頻率開關操作及大電流負載路徑中，可有效支持各類緊湊型電源模塊與高效能電子設備的穩定運行。
                              
              
            
              
            
              
                
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