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              FDMS3016DC_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

              品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN5X6-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數1:ID:80A 參數2:VDSS:30V 參數3:RDON:4.7mR 參數4:VGS:20V 標價:歡迎咨詢

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              產品介紹

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              該N溝道MOSFET具有80A的連續漏極電流能力,最大漏源電壓為30V,在導通狀態下其導通電阻低至4.7毫歐,柵源驅動電壓最高可達20V。器件結構優化了導通與開關性能,適用于對效率和熱管理要求較高的電源轉換、電機驅動及高電流開關場景。其低RDS(ON)有效降低導通損耗,提升系統整體能效,同時支持高頻操作,便于在緊湊型電路布局中實現穩定可靠的功率控制。

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