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              IRLR7833TRRPBF_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
              
                       
                        
              
                            品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子)
                                                        封裝：TO-252-2L
                                                        類別：場效應管(MOSFET)
                                                        最小包裝：2500/圓盤
                                                        參數1：ID:100A
                                                        參數2：VDSS:30V
                                                        參數3：RDON:3.8mR
                                                        參數4：TYPE:N-ch
                                                        標價：歡迎咨詢
                        
              
                        
              
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              產品介紹
              
                
              
                    
              -------<點擊了解更多 + 購買>-------
              該N溝道場效應管（MOSFET）具有100A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至3.8毫歐。其高電流承載能力與極低導通損耗相結合，適用于對效率和熱性能要求較高的電源轉換及開關應用場景。器件結構優化了開關速度與導通特性，在高頻操作條件下仍能保持穩定性能，適合用于各類高密度、高效率的電力電子系統中。
                              
              
            
              
            
              
                
              企業聯系方式