MBR39AFC_R1_00001_SMAF_肖特基二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SMAF 類別：肖特基二極管最小包裝：3000/圓盤參數1：IF:3A 參數2：VR:100V 參數3：VF:0.85V 參數4：IR:300uA 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該肖特基二極管采用獨立式配置，具有3A的平均正向電流（IF）和100V的反向重復峰值電壓（VR）。其正向壓降（VF）典型值為0.85V，在導通狀態下功耗較低；反向漏電流（IR）為300μA，表現出良好的阻斷特性。器件可承受高達80A的正向浪涌電流（IFSM），適用于對效率和瞬態響應要求較高的電源整流、開關模式電源輸出級以及各類低壓高頻電路中，能夠有效提升系統能效并保障運行穩定性。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

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MBR39AFC_R1_00001_SMAF_肖特基二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SMAF 類別：肖特基二極管 最小包裝：3000/圓盤 參數1：IF:3A 參數2：VR:100V 參數3：VF:0.85V 參數4：IR:300uA 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SMAF 類別：肖特基二極管最小包裝：3000/圓盤參數1：IF:3A 參數2：VR:100V 參數3：VF:0.85V 參數4：IR:300uA 標價：歡迎咨詢