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              IRFHM8330TRPBF-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
              
                       
                        
              
                            品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子)
                                                        封裝：DFN3X3-8L
                                                        類別：場效應管(MOSFET)
                                                        最小包裝：5000/圓盤
                                                        參數1：ID:55A
                                                        參數2：VDSS:30V
                                                        參數3：RDON:4.7mR
                                                        參數4：VGS:20V
                                                        標價：歡迎咨詢
                        
              
                        
              
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              產品介紹
              
                
              
                    
              -------<點擊了解更多 + 購買>-------
              該N溝道場效應管（MOSFET）具有55A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS）、4.7毫歐的導通電阻（RDS(ON)），以及20V的最大柵源電壓（VGS）。其低導通電阻有助于在高電流應用中顯著降低功率損耗，提升系統效率。適用于中低壓電源轉換、電池供電設備、電機驅動及各類高效開關電路，在要求高可靠性和良好熱性能的電子系統中可實現穩定運行。
                              
              
            
              
            
              
                
              企業聯系方式