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              IRFR3707ZCTRLP_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

              品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:2500/圓盤 參數1:ID:60A 參數2:VDSS:30V 參數3:RDON:7mR 參數4:TYPE:N-ch 標價:歡迎咨詢

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              該N溝道MOSFET具有60A的連續漏極電流能力,最大漏源電壓為30V,導通電阻低至7毫歐。器件在高電流應用中表現出優異的導通效率與熱穩定性,適用于對功率密度和能效有較高要求的電子系統。其低RDS(ON)有助于減少導通損耗,提升整體運行效率,適合用于電源管理、電機驅動及高頻開關等場景。

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