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              DMN3032L-13-HXY_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
              
                       
                        
              
                            品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子)
                                                        封裝：SOT-23
                                                        類別：場效應管(MOSFET)
                                                        最小包裝：3000/圓盤
                                                        參數1：ID:5.8A
                                                        參數2：VDSS:30V
                                                        參數3：RDON:22mR
                                                        參數4：TYPE:N-ch
                                                        標價：歡迎咨詢
                        
              
                        
              
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              產品介紹
              
                
              
                    
              -------<點擊了解更多 + 購買>-------
              該N溝道MOSFET的連續漏極電流為5.8A，最大漏源電壓為30V，導通電阻為22毫歐。其參數組合適用于中等功率應用場景，在保證一定電流承載能力的同時，兼顧開關效率與功耗控制。器件適合用于電源管理模塊、負載開關、便攜設備供電系統以及對空間和熱耗有約束的電子裝置中，能夠支持穩定可靠的開關操作。
                              
              
            
              
            
              
                
              企業聯系方式