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              DMN3032L-7-HXY_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
              
                       
                        
              
                            品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子)
                                                        封裝：SOT-23
                                                        類別：場效應管(MOSFET)
                                                        最小包裝：3000/圓盤
                                                        參數1：ID:5.8A
                                                        參數2：VDSS:30V
                                                        參數3：RDON:22mR
                                                        參數4：TYPE:N-ch
                                                        標價：歡迎咨詢
                        
              
                        
              
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              產品介紹
              
                
              
                    
              -------<點擊了解更多 + 購買>-------
              該N溝道MOSFET具有5.8A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，在柵源驅動電壓適配條件下導通電阻低至22毫歐。其低導通電阻有助于減少功率損耗，提升系統效率，適用于電源開關、負載控制以及便攜式電子設備中的高效功率管理場景。器件在中等電流應用中表現出良好的熱穩定性和開關響應特性。
                              
              
            
              
            
              
                
              企業聯系方式