DMN3023L-7-HXY_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤參數1：ID:5.8A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:22mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道MOSFET的漏源電壓（VDSS）為30V，連續漏極電流（ID）達5.8A，導通電阻（RDS(ON)）為22毫歐。器件在低電壓應用中表現出較低的導通損耗，適用于對效率和熱性能有一定要求的電路。典型應用場景包括電源開關、電池保護、DC-DC轉換器及各類消費電子產品中的功率控制模塊，其電氣特性有助于維持系統穩定運行并優化能效表現。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

DMN3023L-7-HXY_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：ID:5.8A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:22mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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