SI4420DY,518_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:7.5mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價：歡迎咨詢

分享到

產(chǎn)品介紹

該N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有15A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導(dǎo)通電阻低至7.5毫歐。其低RDS(ON)特性有助于減小導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率，在高頻率開關(guān)或大電流負(fù)載條件下仍能保持良好性能。適用于對功率密度和熱管理有較高要求的電源轉(zhuǎn)換、電池管理系統(tǒng)及便攜式電子設(shè)備中的功率控制模塊。器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化了開關(guān)速度與導(dǎo)通特性的平衡，適合需要高效能與緊湊布局的應(yīng)用場景。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SI4420DY,518_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:7.5mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:7.5mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價：歡迎咨詢