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              AONR36326C_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
              
                       
                        
              
                            品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子)
                                                        封裝：DFN3X3-8L
                                                        類別：場效應管(MOSFET)
                                                        最小包裝：5000/圓盤
                                                        參數1：ID:35A
                                                        參數2：VDSS:30V
                                                        參數3：RDON:7.5mR
                                                        參數4：TYPE:N-ch
                                                        標價：歡迎咨詢
                        
              
                        
              
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              產品介紹
              
                
              
                    
              -------<點擊了解更多 + 購買>-------
              該N溝道場效應管（MOSFET）具備35A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為7.5毫歐。較低的導通電阻有助于降低導通狀態下的功率損耗，提升整體能效。器件在高頻開關條件下仍能保持良好的動態性能，適用于電源轉換、電池管理系統、電機控制以及各類高效率開關電路中，滿足對緊湊布局和熱性能要求較高的設計需求。
                              
              
            
              
            
              
                
              企業聯系方式