SI4880DY-T1-GE3_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:7.5mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道MOSFET具備15A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導通電阻低至7.5毫歐。其低RDS(ON)特性有助于減少導通損耗，在高效率電源轉換和功率管理電路中表現(xiàn)優(yōu)異。器件適用于對能效和熱性能有較高要求的電子系統(tǒng)，可有效支持頻繁開關操作，確保穩(wěn)定可靠的運行。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SI4880DY-T1-GE3_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:7.5mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:7.5mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢