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SI4884BDY-T1-GE3-HXY_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤參數1：ID:15A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:7.5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道MOSFET具有15A的連續漏極電流（ID）和30V的最大漏源電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為7.5毫歐。低導通電阻有助于降低導通損耗，提升系統效率，適用于對功率密度和熱性能有要求的電子設備。典型應用場景包括開關電源、便攜式設備的電源管理、電機驅動及各類需要高效開關操作的電路中，能夠在高頻率工作條件下保持穩定可靠的性能。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

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SI4884BDY-T1-GE3-HXY_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:7.5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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