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BYS12-90-M3/TR-HXY_SMA_肖特基二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SMA 類別：肖特基二極管最小包裝：2000/圓盤參數(shù)1：IF:2A 參數(shù)2：VR:100V 參數(shù)3：VF:0.85V 參數(shù)4：IR:100uA 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該肖特基二極管為獨立式配置，額定正向電流為2A，最大反向電壓達100V。其正向壓降典型值為0.85V，在導通狀態(tài)下具有較低的功耗表現(xiàn)；反向漏電流為100μA，體現(xiàn)出良好的反向阻斷特性。器件可承受高達50A的非重復峰值正向浪涌電流，適用于對效率和響應速度有一定要求的電源整流、開關模式電源輸出級以及高頻信號處理等場合，具備較快的開關速度與穩(wěn)定的電氣性能。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

BYS12-90-M3/TR-HXY_SMA_肖特基二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SMA 類別：肖特基二極管 最小包裝：2000/圓盤 參數(shù)1：IF:2A 參數(shù)2：VR:100V 參數(shù)3：VF:0.85V 參數(shù)4：IR:100uA 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SMA 類別：肖特基二極管最小包裝：2000/圓盤參數(shù)1：IF:2A 參數(shù)2：VR:100V 參數(shù)3：VF:0.85V 參數(shù)4：IR:100uA 標價：歡迎咨詢