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              GSF3404B_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

              品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOT-23 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤 參數1:ID:5.8A 參數2:VDSS:30V 參數3:RDON:22mR 參數4:TYPE:N-ch 標價:歡迎咨詢

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              該N溝道MOSFET的漏極電流(ID)為5.8A,最大漏源電壓(VDSS)為30V,導通電阻(RDS(ON))低至22毫歐。器件采用標準封裝結構,適用于對效率和熱性能有一定要求的中低功率開關場景。其較低的導通電阻有助于減少導通損耗,提升整體能效,在電源管理、負載開關及電池供電設備等應用中可實現穩定可靠的開關控制功能。

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