BAS40-04-G3-08-HXY_SOT-23_肖特基二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：肖特基二極管最小包裝：3000/圓盤參數1：IF:0.2A 參數2：VR:40V 參數3：VF:1V 參數4：IR:0.2uA 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該肖特基二極管采用串聯式結構，額定正向電流（IF）為0.2A，最大反向電壓（VR）達40V。其正向壓降（VF）為1V，在導通狀態下能量損耗較低；反向漏電流（IR）僅為0.2μA，表現出優異的阻斷性能。器件可承受的最大正向浪涌電流（IFSM）為0.6A，適用于對體積和效率敏感的小功率電子系統，如便攜設備電源整流、信號檢波及低功耗電路中的極性保護等場景。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

BAS40-04-G3-08-HXY_SOT-23_肖特基二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：肖特基二極管 最小包裝：3000/圓盤 參數1：IF:0.2A 參數2：VR:40V 參數3：VF:1V 參數4：IR:0.2uA 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：肖特基二極管最小包裝：3000/圓盤參數1：IF:0.2A 參數2：VR:40V 參數3：VF:1V 參數4：IR:0.2uA 標價：歡迎咨詢