BYS10-35-E3/TR_SMA_肖特基二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SMA 類別：肖特基二極管最小包裝：2000/圓盤參數1：IF:2A 參數2：VR:40V 參數3：VF:0.55V 參數4：IR:500uA 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該肖特基二極管采用獨立式配置，額定正向電流（IF）為2A，最大反向重復峰值電壓（VR）為40V。其正向壓降（VF）典型值為0.55V，有助于在導通狀態下實現較低的功率損耗。在反向偏置條件下，漏電流（IR）為500μA。器件可承受高達50A的正向浪涌電流（IFSM），適用于對效率和瞬態響應有要求的低壓整流、開關電源輸出級及高頻續流等應用場景。

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深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

BYS10-35-E3/TR_SMA_肖特基二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SMA 類別：肖特基二極管 最小包裝：2000/圓盤 參數1：IF:2A 參數2：VR:40V 參數3：VF:0.55V 參數4：IR:500uA 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SMA 類別：肖特基二極管最小包裝：2000/圓盤參數1：IF:2A 參數2：VR:40V 參數3：VF:0.55V 參數4：IR:500uA 標價：歡迎咨詢