BR26-AU_R2_000A1_SMA_肖特基二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SMA 類別：肖特基二極管最小包裝：2000/圓盤參數(shù)1：IF:2A 參數(shù)2：VR:60V 參數(shù)3：VF:0.7V 參數(shù)4：IR:500uA 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該肖特基二極管為獨立式配置，額定正向電流（IF）為2A，最大反向電壓（VR）為60V。其正向壓降（VF）典型值為0.7V，有助于降低導(dǎo)通損耗；反向漏電流（IR）為500μA，在關(guān)斷狀態(tài)下維持較低的靜態(tài)功耗。器件可承受高達50A的非重復(fù)峰值正向浪涌電流（IFSM），適用于存在瞬態(tài)電流沖擊的電路環(huán)境。常用于電源整流、續(xù)流保護及高頻開關(guān)等場合，憑借肖特基結(jié)構(gòu)實現(xiàn)快速響應(yīng)與高效運行。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

BR26-AU_R2_000A1_SMA_肖特基二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SMA 類別：肖特基二極管 最小包裝：2000/圓盤 參數(shù)1：IF:2A 參數(shù)2：VR:60V 參數(shù)3：VF:0.7V 參數(shù)4：IR:500uA 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SMA 類別：肖特基二極管最小包裝：2000/圓盤參數(shù)1：IF:2A 參數(shù)2：VR:60V 參數(shù)3：VF:0.7V 參數(shù)4：IR:500uA 標(biāo)價：歡迎咨詢