SI2372DS-T1-GE3-HXY_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤參數(shù)1：ID:5.8A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:22mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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該N溝道MOSFET具備30V的漏源擊穿電壓（VDSS）和5.8A的連續(xù)漏極電流（ID），在標準驅(qū)動條件下導通電阻（RDS(ON)）為22毫歐。其電氣特性適用于中等功率的開關應用場景，如便攜式電子設備的電源管理、負載開關及同步整流等電路。較低的導通電阻有助于控制功耗與溫升，同時支持較高的開關頻率，適合對體積和效率有一定要求的電子系統(tǒng)。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

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SI2372DS-T1-GE3-HXY_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：ID:5.8A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:22mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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