SBAS70-04LT1G-HXY_SOT-23_肖特基二極管_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：肖特基二極管最小包裝：3000/圓盤(pán) 參數(shù)1：IF:0.2A 參數(shù)2：VR:70V 參數(shù)3：VF:1.25V 參數(shù)4：IR:2.5uA 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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該肖特基二極管采用串聯(lián)式配置，具有0.2A的正向電流（IF）和70V的反向重復(fù)峰值電壓（VR）。其正向壓降（VF）為1.25V，在反向偏置條件下漏電流（IR）低至2.5μA，表現(xiàn)出良好的阻斷特性。器件可承受高達(dá)2A的正向浪涌電流（IFSM），適用于對(duì)效率和響應(yīng)速度有一定要求的低壓整流與信號(hào)處理場(chǎng)景，常見(jiàn)于便攜式電子設(shè)備及電源管理模塊中。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

SBAS70-04LT1G-HXY_SOT-23_肖特基二極管_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：肖特基二極管 最小包裝：3000/圓盤(pán) 參數(shù)1：IF:0.2A 參數(shù)2：VR:70V 參數(shù)3：VF:1.25V 參數(shù)4：IR:2.5uA 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：肖特基二極管最小包裝：3000/圓盤(pán) 參數(shù)1：IF:0.2A 參數(shù)2：VR:70V 參數(shù)3：VF:1.25V 參數(shù)4：IR:2.5uA 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢