BAS70S_R1_00001_SOT-23_肖特基二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：肖特基二極管最小包裝：3000/圓盤參數1：IF:0.5A 參數2：VR:70V 參數3：VF:1.25V 參數4：IR:0.01uA 標價：歡迎咨詢

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該肖特基二極管采用串聯式配置，額定平均正向電流（IF）為0.5A，反向重復峰值電壓（VR）達70V。其正向壓降（VF）為1.25V，反向漏電流（IR）低至0.01μA，表現出優異的阻斷性能與能效特性。器件可承受1A的正向浪涌電流（IFSM），適用于對電壓耐受和低漏電有較高要求的整流、信號解調及電源管理電路，尤其適合需要串聯結構以提升反向耐壓能力的緊湊型電子設計。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

BAS70S_R1_00001_SOT-23_肖特基二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：肖特基二極管 最小包裝：3000/圓盤 參數1：IF:0.5A 參數2：VR:70V 參數3：VF:1.25V 參數4：IR:0.01uA 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：肖特基二極管最小包裝：3000/圓盤參數1：IF:0.5A 參數2：VR:70V 參數3：VF:1.25V 參數4：IR:0.01uA 標價：歡迎咨詢