NSVBAT54HT1G-HXY_SOD-323_肖特基二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOD-323 類別：肖特基二極管最小包裝：3000/圓盤參數1：IF:0.2A 參數2：VR:30V 參數3：VF:0.8V 參數4：IR:2uA 標價：歡迎咨詢

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該肖特基二極管為獨立式結構，正向電流（IF）為0.2A，反向重復峰值電壓（VR）為30V。其正向壓降（VF）典型值為0.8V，有助于減少導通狀態下的功耗；在30V反向電壓下，漏電流（IR）為2μA。器件的正向浪涌電流（IFSM）能力達0.6A，適用于低電壓電源整流、高頻信號檢波、極性保護及箝位電路等應用，具備較快的開關響應特性。

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深圳市華軒陽電子有限公司

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聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

NSVBAT54HT1G-HXY_SOD-323_肖特基二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOD-323 類別：肖特基二極管 最小包裝：3000/圓盤 參數1：IF:0.2A 參數2：VR:30V 參數3：VF:0.8V 參數4：IR:2uA 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOD-323 類別：肖特基二極管最小包裝：3000/圓盤參數1：IF:0.2A 參數2：VR:30V 參數3：VF:0.8V 參數4：IR:2uA 標價：歡迎咨詢