DB107S_DBS_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DBS 類別：整流橋最小包裝：1500圓盤參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@1A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 1A 參數4：反向電流(Ir): 10uA@1kV 標價：歡迎咨詢

分享到

產品介紹

描述: 這款DBS封裝的整流橋器件，專為高效低耗電源轉換應用打造。具備1000V的高反向電壓額定值（VR），確保在高壓條件下安全穩定運行。其獨特優勢在于1A電流下正向壓降VF僅為1.1V，有效減少功耗并提升系統能效表現。此外，該器件支持最大連續輸出電流1A（IO），提供卓越的低電流處理能力及穩定性。適用于各類小型化、高效率且需處理中等電壓的應用場景，是您電路設計的理想選擇，助力實現緊湊與性能兼備的電源解決方案。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

DB107S_DBS_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DBS 類別：整流橋 最小包裝：1500圓盤 參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@1A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 1A 參數4：反向電流(Ir): 10uA@1kV 標價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DBS 類別：整流橋最小包裝：1500圓盤參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@1A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 1A 參數4：反向電流(Ir): 10uA@1kV 標價：歡迎咨詢