DB207S_DBS_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DBS 類別：整流橋最小包裝：1500圓盤參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@1.5A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 2A 參數4：反向電流(Ir): 5uA@1kV 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

描述: 本款高性能整流橋采用先進的DBS封裝技術，專為高效率、高穩定性的電路設計。其額定電壓高達VR1000V，確保在嚴苛條件下穩定工作。在1.5A的工作電流下，正向壓降僅為VF1.1V，有效降低功耗，提升系統能效。此外，擁有2A的輸出電流能力（IO: 2A），充分滿足大電流應用需求，是各類電源轉換、逆變器等電子設備的理想選擇。這款半導體器件以卓越性能與高效節能，助力您的設備運行更順暢，表現更出色。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

DB207S_DBS_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DBS 類別：整流橋 最小包裝：1500圓盤 參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@1.5A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 2A 參數4：反向電流(Ir): 5uA@1kV 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DBS 類別：整流橋最小包裝：1500圓盤參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@1.5A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 2A 參數4：反向電流(Ir): 5uA@1kV 標價：歡迎咨詢