LESD8LL5.0CT5G_DFN1006-2L_靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD) 最小包裝：10000圓盤(pán) 參數(shù)1：Bi雙向參數(shù)2：電壓VRWM/5.0V 參數(shù)3：電流IPP/4.0A 參數(shù)4：電容Cj/0.35pF 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

描述: 這款DFN1006-2L封裝的雙向ESD靜電防護(hù)二極管，專為5V系統(tǒng)提供高級(jí)別的單通道保護(hù)。具備4A峰值脈沖電流IPP能力，有效吸收與鉗位雙向瞬態(tài)ESD沖擊，確保電路不受損壞。超低結(jié)電容僅0.35pF，特別適合高速數(shù)據(jù)傳輸接口，實(shí)現(xiàn)卓越信號(hào)完整性和最小干擾，是現(xiàn)代精密電子設(shè)備的理想ESD防護(hù)方案。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

LESD8LL5.0CT5G_DFN1006-2L_靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD) 最小包裝：10000圓盤(pán) 參數(shù)1：Bi雙向 參數(shù)2：電壓VRWM/5.0V 參數(shù)3：電流IPP/4.0A 參數(shù)4：電容Cj/0.35pF 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD) 最小包裝：10000圓盤(pán) 參數(shù)1：Bi雙向參數(shù)2：電壓VRWM/5.0V 參數(shù)3：電流IPP/4.0A 參數(shù)4：電容Cj/0.35pF 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢