HESDUC5VB1AF-B_DFN1006-2L_靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD) 最小包裝：10000圓盤參數(shù)1：Bi雙向參數(shù)2：電壓VRWM/5.0V 參數(shù)3：電流IPP/3.0A 參數(shù)4：電容Cj/0.6pF 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

分享到

產(chǎn)品介紹

描述: 此款DFN1006-2L封裝的雙向ESD靜電防護(hù)二極管，專為5V系統(tǒng)提供單通道保護(hù)。具備3A峰值脈沖電流IPP能力，能有效抑制雙向瞬態(tài)ESD沖擊，確保電路安全。超低結(jié)電容0.6pF設(shè)計(jì)，尤其適合高速數(shù)據(jù)傳輸接口，兼具卓越信號(hào)完整性和高級(jí)別的靜電防護(hù)效能，是現(xiàn)代電子設(shè)備的理想選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014

HESDUC5VB1AF-B_DFN1006-2L_靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD) 最小包裝：10000圓盤 參數(shù)1：Bi雙向 參數(shù)2：電壓VRWM/5.0V 參數(shù)3：電流IPP/3.0A 參數(shù)4：電容Cj/0.6pF 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD) 最小包裝：10000圓盤參數(shù)1：Bi雙向參數(shù)2：電壓VRWM/5.0V 參數(shù)3：電流IPP/3.0A 參數(shù)4：電容Cj/0.6pF 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢