HESDNC3V3B1AF-A_DFN1006-2L_靜電和浪涌保護(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(TVS/ESD) 最小包裝：10000圓盤參數(shù)1：Bi雙向參數(shù)2：電壓VRWM/3.3V 參數(shù)3：電流IPP/9.0A 參數(shù)4：電容Cj/15.0pF 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

描述: 此款DFN1006-2L封裝的雙向ESD靜電防護二極管適用于3.3V系統(tǒng)，提供單通道高效防護。具備9A峰值脈沖電流IPP能力，能有效吸收和抑制雙向瞬態(tài)ESD事件，保護電路不受損害。僅15pF結(jié)電容確保高速數(shù)據(jù)線路上信號完整性良好，是現(xiàn)代便攜式與高集成度電子設(shè)備的理想低電容ESD解決方案。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HESDNC3V3B1AF-A_DFN1006-2L_靜電和浪涌保護(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(TVS/ESD) 最小包裝：10000圓盤 參數(shù)1：Bi雙向 參數(shù)2：電壓VRWM/3.3V 參數(shù)3：電流IPP/9.0A 參數(shù)4：電容Cj/15.0pF 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(TVS/ESD) 最小包裝：10000圓盤參數(shù)1：Bi雙向參數(shù)2：電壓VRWM/3.3V 參數(shù)3：電流IPP/9.0A 參數(shù)4：電容Cj/15.0pF 標價：歡迎咨詢