PESD5V0U1UA_DFN1006-2L_靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD) 最小包裝：10000圓盤(pán) 參數(shù)1：Bi雙向參數(shù)2：電壓VRWM/5.0V 參數(shù)3：電流IPP/2.5A 參數(shù)4：電容Cj/2.5pF 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

描述: 此款DFN1006-2L封裝的雙向ESD靜電防護(hù)二極管，專為5V系統(tǒng)提供單通道高效防護(hù)。具備2.5A峰值脈沖電流IPP能力，能有效抑制雙向瞬態(tài)ESD沖擊，保護(hù)電路免受損壞。結(jié)電容低至2.5pF，確保在高速數(shù)據(jù)傳輸應(yīng)用中保持出色的信號(hào)完整性，是小型化電子設(shè)備的理想選擇，提供卓越的靜電防護(hù)性能。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

PESD5V0U1UA_DFN1006-2L_靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD) 最小包裝：10000圓盤(pán) 參數(shù)1：Bi雙向 參數(shù)2：電壓VRWM/5.0V 參數(shù)3：電流IPP/2.5A 參數(shù)4：電容Cj/2.5pF 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD) 最小包裝：10000圓盤(pán) 參數(shù)1：Bi雙向參數(shù)2：電壓VRWM/5.0V 參數(shù)3：電流IPP/2.5A 參數(shù)4：電容Cj/2.5pF 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢