HXY50P02DF_DFN3x3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN3x3-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：電壓VDS/20V 參數(shù)3：電流ID/50A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/10mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

分享到

產(chǎn)品介紹

描述: 本款消費(fèi)級(jí)P溝道MOSFET采用DFN3X3-8L封裝，具有高效能與緊湊設(shè)計(jì)。額定電壓20V，連續(xù)電流高達(dá)50A，適用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載控制和電池管理系統(tǒng)，為現(xiàn)代電子設(shè)備提供卓越的功率處理能力及空間優(yōu)化方案。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

HXY50P02DF_DFN3x3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN3x3-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：電壓VDS/20V 參數(shù)3：電流ID/50A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/10mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN3x3-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：電壓VDS/20V 參數(shù)3：電流ID/50A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/10mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢